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三星電子(Samsung Electronics)繼傳出調漲面板價格後,亦著手醞釀調漲DRAM價格,至於NAND Flash也是連帶拉抬目標之一,台系DRAM廠透露,現在不只是三星,包括現貨市場主力力晶,以及其他DRAM廠配合意願也相當高。下游廠則透露,力晶在2008年底前都不會放貨,2009年1月出貨量亦減少逾30%,現貨市場壓力可望迎刃而解,1月合約價確定終結連6個月跌勢,但會漲到什麼程度,要看 PC OEM廠拉貨力道而定,目前各廠共識是讓1Gb容量DDR2價格站上1美元。

台DRAM廠認為,現在DRAM市場已不寄望終端需求來拉抬,而把希望全然放在供給端身上,藉由供給面操作,讓大家暫時脫離苦海,其中,三星有意自2008年底起發動戰事,針對面板、DRAM和NAND Flash大拉一波行情。下游廠透露,1Gb容量DDR2價格從0.5美元反彈到0.8美元後,三星、海力士等DRAM大廠開始惜售,現貨市場最大主力力晶亦不放貨,各廠目的都是把價格鎖在高點,但這樣價位仍不是滿足點,接下來DRAM廠打算把價格拉到1美元。

台 DRAM廠表示,以上、下游庫存水位來看,DRAM廠本身庫存水位偏高,年底前若不把價格拉上來,財報結算壓力很大,因此,才會提前發動攻勢,加上部分模組廠庫存水位亦偏高,拉抬價格意願相當強烈,反倒是PC OEM廠之前受到DRAM價格一路狂洩,手上的貨都轉倒至現貨市場,現在就等PC OEM廠歸隊補貨。

下游業者指出,現階段包括上、下游廠商鎖貨意圖均強烈,但真正關鍵仍是看1月合約價走勢,至少確定可終結2008年7月以來跌勢,至於調漲幅度,則要看最近現貨價拉升幅度。模組價格方面目前還不敢調漲,主要是怕終端需求吃不下這波漲勢,預計1月後,模組價格會慢慢反應顆粒成本,屆時消費者若可接受,將確立這波反彈漲勢,否則DRAM模組出貨量未增,顯示整個DRAM市場庫存還沒消化完。

另外,在NAND Flash方面,亦是三星積極拉抬產品之一,目前操作也相當成功,主要是東芝(Toshiba)和海力士(Hynix)都大幅減產NAND Flash,加上三星發動鎖貨攻勢,以及模組廠NAND Flash庫存不多,因此,NAND Flash價格近日成功反彈,但後市仍視需求而定。

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